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篇1：双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结的发光效应
双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结的发光效应
制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道发光结,与普通单势垒Al-Al2O3-Au隧道结相比,其发光效率(10-6～10-5)提高了近一个量级,发光稳定性及耐压性都有所提高.其光谱波长范围(250～700 nm)及谱峰主峰(460 nm)均较Al-Al2O3-Au结向短波长方向移动,这与双势垒的引入及势垒中分立能级的产生而形成的电子共振隧穿使表面等离极化激元的'激发增强有关.
作 者：王茂祥 孙承休 作者单位：东南大学电子工程系,南京,210096 刊 名：自然科学进展 ISTIC PKU英文刊名：PROGRESS IN NATURAL SCIENCE 年，卷(期)： 10(5) 分类号：N0 关键词：双势垒隧道结 电子共振隧穿 表面等离极化激元 发光特性篇2：处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中电子输运的一个简单方法
在Slonczewski自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见构形的'势垒,即梯形势垒,计入了镜像势的梯形势垒和抛物线势垒为例,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响.
作 者：谢征微 李伯臧 作者单位：中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心,北京,100080 刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 51(2) 分类号：O4 关键词：磁性隧道结 隧穿磁电阻 任意形状势垒 非零偏压篇3：Al-Al2O3-Ni隧道结中的表面粗糙度效应
Al-Al2O3-Ni隧道结中的表面粗糙度效应
用真空蒸发镀膜法在光滑的玻璃基片和粗糙的CaF2薄膜表面上制备了Al-Al2O3-Ni隧道结,观测了CaF2薄膜的表面粗糙度对隧道结伏安特性的影响,首次观测到这种界面粗糙结的光发射. 采用梯形势垒模型计算伏安特性,并与实验伏安特性拟合,得到了结的有效势垒参数. 结果表明,与界面光滑的结比较,界面粗糙的结的有效势垒宽度较窄,有效势垒面积较小. 这可归因为在粗糙的Al2O3表面投射式的'沉积Ni原子时,在Al2O3-Ni界面留下了空隙. 同时分析了结的发光机理,讨论了影响发光效率的因素.
作 者：柳文军 蔡振生 欧阳华 马晓翠 舒启清 作者单位：深圳大学理学院,深圳,518060 刊 名：深圳大学学报（理工版） ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY SCIENCE AND ENGINEERING 年，卷(期)： 21(1) 分类号：O484.4 关键词：隧道结 表面粗糙度 发光 表面等离极化激元篇4：Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20隧道结磁电阻与退火效应的研
Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20隧道结磁电阻与退火效应的研究
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线.研究了中间绝缘层结构和厚度及不同退火条件对隧道结磁电阻效应的影响.结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7 nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象,是提高磁隧道结性能必须考虑的'因素;发现隧道结磁电阻随退火温度升高而增加,并在230℃左右达到最大.
作 者：徐小龙 程遥 翁兆平李燕飞 作者单位：哈尔滨理工大学,应用科学学院,黑龙江,哈尔滨,150080 刊 名：哈尔滨理工大学学报 ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)：2004 9(5) 分类号：O441.6 关键词：磁性隧道结 隧道磁电阻 磁控溅射篇5：绝缘层方势垒影响下N/I/d波超导体结隧道谱的奇异性-超导相位因子ψ±0
绝缘层方势垒影响下N/I/d波超导体结隧道谱的奇异性-超导相位因子ψ±0情况下的研究
以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,在超导相位因子ψ±=0的情况下,利用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方稃和Blonder-Tinkhanl-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)在ψ±=0的情况下,N/I/d波超导体结的隧道谱中出现了零偏压电导峰,零偏压电导峰的出现及形状强烈地依赖于绝缘层的厚度和绝缘层的.势垒值;(2)绝缘层以方势垒描述较之以δ势描述更为优越.
作 者：吉跃仁 JI Yueren 作者单位：江苏财经职业技术学院,江苏,淮安,223001 刊 名：华中师范大学学报（自然科学版） ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF CENTRAL CHINA NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES) 年，卷(期)：2008 42(3) 分类号：O511 关键词：ψ±=0 方势垒 N/I/d波超导体结 隧道谱
