下面是小编整理的使用简化电路的高压放大器,本文共7篇,希望对大家有所帮助。本文原稿由网友“广东张国立”提供。
篇1:使用简化电路的高压放大器
使用简化电路的高压放大器
许多科学仪器和传感器都需要交流高压驱动器。高压驱动器在很多应用系统中适合于驱动电极。难点在于将普通运算放大器的输出提高到很高的电压。现有的`交流高压放大器模块只能将输出放大到大约1200V p-p 以内。本设计实例提出的一种简化交流高压放大器使用了互补的级联NMOS和PMOS晶体管(图1)。OP07运算放大器的输入失调电压低,输入偏置电流小,开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外,OP07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。LM356级的交流增益取决于R3、R4、R7和R9,大约为100.MTP2P50E型高压 p沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500V.BUK456800B型 高压n沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800V.Q1――Q6都是PMOS晶体管,Q7――Q12均为NMOS晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来,以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器R10――R13和R14――R17组成,从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰-峰电压为8V p-p、频率为100 Hz的正弦输入信号以及峰-峰电压为1800V p-p的输出信号。图3示出了峰-峰电压为750 mV p-p、频率为2 kHz的正弦输入信号和峰-峰电压为200V p-p的输出信号。该电路的总功率带宽大约是200kHz.
篇2:使用简化电路的高压放大器
许多科学仪器和传感器都需要交流高压驱动器。高压驱动器在很多应用系统中适合于驱动电极。难点在于将普通运算放大器的输出提高到很高的电压。现有的交流高压放大器模块只能将输出放大到大约1200V p-p 以内。本设计实例提出的一种简化交流高压放大器使用了互补的级联NMOS和PMOS晶体管(图1)。OP07运算放大器的输入失调电压低,输入偏置电流小,开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外,OP07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。LM356级的交流增益取决于R3、R4、R7和R9,大约为100。
MTP2P50E型高压 p沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500V。BUK456800B型 高压n沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800V。Q1~Q6都是PMOS晶体管,Q7~Q12均为NMOS晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来,以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器R10~R13和R14~R17组成,从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰-峰电压为8V p-p、频率为100 Hz的正弦输入信号以及峰-峰电压为1800V p-p的`输出信号。图3示出了峰-峰电压为750 mV p-p、频率为2 kHz的正弦输入信号和峰-峰电压为200V p-p的输出信号。该电路的总功率带宽大约是200kHz。
篇3:驱动压电管的高压放大器
在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽,可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低,可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜,R3设定Q4的.集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动,Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时,Q6和Q3的集电极电流平衡,而取自射极跟随器Q1和Q2连接点的输出则为0V。 将输入信号加到IC1上,就可驱使IC1的输出达到正12V或负12V电源电压。使IC1输出饱和,就可能产生足够的转换速率延迟以产生振荡。虽然采用一个高速运算放大器LF411可改善该放大器的带宽和转换速率,但逆并联的二极管D1和D2则将IC1的输出偏移限制在一个二极管正向压降以内,从而改善了稳定性。
你可通过调节R7来最大限度减少直流输出失调电压和转换速率。根据经验,R7的阻值应取R9阻值的两倍。R9和R8的阻值之比设定放大器的增益。图2示出了R7和R9取最佳阻值时的输入和输出波形。要注意的是,Q1和Q2的VCEO额定值会将VCC和-VCC限制在300V以内。
篇4:高压开关柜正常使用条件
1.环境温度:周围空气温度不超过40℃(上限),一般地区为-5 ℃(下限),严寒地区可以为-15 ℃ ,环境温度过高,金属的导电率会减低,电阻增加,表面氧化作用加剧另一方面, 过高的温度,也会使柜内的绝缘件的寿命大大缩短,绝缘强度下降.反之,环境温度过低,在绝缘件中会产生内应力,最终会导致绝缘件的破坏。
2.海拔高度:一般不超过1000米. 对于安装在海拔高于1000米处的设备,外绝缘的绝缘水平应将所要求的绝缘耐受电压乘以修正系数Ka[ka=1÷(1.1-H×10-4)]来决定。由于高海拔地区空气稀薄,电器的外绝缘易击穿,所以采用加强绝缘型电器,加大空气绝缘距离,或在开关柜内增加绝缘防护措施。
3.环境湿度: 日平均值不大于95%,月平均值不大于90%,
4.地震烈度: 不超过8度。
IP3X 防止直径大于2.5mm的物体 1.防止直径大于2.5mm的固体进入壳内;
2.防止厚度(直径)大于2.5mm工具或金属线触及柜内带电部分或运动部件
IP4X 防止直径大于1mm的物体 1.防止直径大于1mm的固体进入壳内;
2.防止厚度(直径)大于1mm工具或金属线触及柜内带电部分或运动部件
IP5X 防 尘 1.能防止灰尘进入达到影响产品的程度;
2.完全防止触及柜内带电部分或运动部件
IP6X 尘 密 1.完全防止灰尘进入壳内;2.完全防止触及柜内带电部分或运动部件
篇5:交流高压断路器使用环境条件有哪些?
交流高压断路器使用环境条件有哪些?
1 周围空气温度:户外分级:+40℃~-45℃;
+40℃~-35℃;
户内分级:+40℃~-15℃;
+40℃~-25℃;
注:户内断路器允许-35℃时储运,
日温差:日变化范围分级25℃;32℃;
2 海拔:1000m及以下地区:
1000~3000m地区
3000m以上个别考虑。
3 户外产品风速不大于35m/s
4 环境湿度:月平均相对湿度不大于90%;
日平均相对湿度不大于95%。
5 耐受地震的能力
耐震水平分级(1)水平0.2~0.25g同时作用,地面加速度。
垂直0.1~0.125g
(2)水平0.3~0.5g同时作用,地面加速度,
垂直0.15~0.25g
对具体产品的机械强度应根据上述耐受能力所要求的加速度导致的动态负荷全动态法进行计算和试验(条件:共振、共弦、三周波),并应考虑导线振荡和导线张力的影响。
6 爬电比距:断路器外绝缘爬电距离与其最高电压之比,单位为mm/KV。
Ⅰ级污秽地区的对地爬电比距不得小于16mm/KV;
Ⅱ级污秽地区的对地爬电比距不得小于20mm/KV;
Ⅲ级污秽地区的对地爬电比距不得小于25mm/KV;
Ⅳ级污秽地区的对地爬电比距不得小于31mm/KV;
同相断口间的外绝缘爬电比距为对地爬电比距的1.35倍。在严寒污秽地区,如结构上有困难,可适当降低这一比值。
3~63KV级断路器的外绝缘爬电比距一般可按Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ级选取。
7 复冰。户外产品的复冰厚度一般地区不超过1mm,重冰区复冰厚度为10mm、20mm两级。
8 户外产品应考虑冷凝、雨、温度骤变及日照等的影响,各类产品都应能防潮、防寒、防尘、防热、防雨和防止异物进入。
篇6:树干高压注射机使用与保养
树干高压注射机使用与保养
1.村干注射机施药特点:该注射机体积小,重量轻,可以在任何天气情况下注射施药:药物在树叶蒸腾动力下,在树体内循环,能使树的各个部位害虫在8~48小时中毒死亡.对天牛、各种食叶害虫、蚁类和介壳虫防效可达95%,有效期大于60天.
作 者:高文胜 作者单位: 刊 名:农村新技术 英文刊名:NEW RURAL TECHNOLOGY 年,卷(期): “”(21) 分类号: 关键词:篇7:一种新型高压大功率小信号放大电路
一种新型高压大功率小信号放大电路
摘要:简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点,工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路,并通过实验验证了其可行性。关键词:小信号放大器;双脉宽调制;悬浮驱动;高压大功率
引言
现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成,其功率有限,不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟,尤其是SPWM逆变技术,使信号波形能够很好地在输出端重现,并且可以做到高电压,大电流,大功率。SPWM技术的实现方法有两种,一种是采用模拟集成电路完成正弦调制波与三角波载波的比较,产生SPWM信号;另一种是采用数字方法。随着应用的深入和集成技术的发展,已商品化的专用集成电路(ASIC)和专用单片机(8X196/MC/MD/MH)以及DSP,可以使控制电路结构简化,集成度高。由于数字芯片一般价格比较高,所以在此采用模拟集成电路。主电路采用全桥逆变结构,SPWM波的产生采用UC3637双PWM控制芯片,并采用美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110,从而减小了装置的体积,降低了成本,提高了系统的可靠性。经本电路放大后,信号可达3kV,并保持了良好的输出波形。
图1
1UC3637的原理与基本功能
UC3637的原理框图如图1所示。其内部包含有一个三角波振荡器,误差放大器,两个PWM比较器,输出控制门,逐个脉冲限流比较器等。
UC3637可单电源或双电源工作,工作电压范围±(2.5~20)V,特别有利于双极性调制;双路PWM信号,图腾柱输出,供出或吸收电流能力100mA;逐个脉冲限流;内藏线性良好的恒幅三角波振荡器;欠压封锁;有温度补偿;2.5V阈值控制。
UC3637最具特色的是三角波振荡器,三角波产生电路如图2所示。三角波参数按式(1)及式(2)计算。
Is=[(+VTH)-(-Vs)]/RT(1)
f=Is/{2CT[(+VTH)-(-VTH)]}(2)
式中:VTH为三角波峰值的转折(阈值)电压;
Vs为电源电压;
RT为定时电阻;
CT为定时电容;
Is为恒流充电电流;
f为振荡频率。C3637具有一个高速、带宽为1MHz、输出低阻抗的误差放大器,既可以作为一般的快速运放,亦可作为反馈补偿运放。UC3637实现其主要功能的就是两个PWM比较器,实现电路如图3所示。其他还有如欠压封锁,2.5V阈值控制等功能,这些功能在应用电路中也给予实现。
2IR2110的结构与应用
IR2110的内部功能框图如图4所示。它由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护。IR2110具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达600V,在15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3Vcc,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9VDD)3.3~20V,可方便地与TTL或CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达100kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A。
下面分析高压侧悬浮驱动的自举原理。
IR2110用于驱动半桥的电路如图5所示。图中C1及VD1分别为自举电容和二极管,C2为Vcc的滤波电容。假定在S1关断期间C1已充到足够的电压(Vc1≈Vcc)。当脚10(HIN)为高电平时VM1开通,VM2关断,Vc1加到S1的门极和发射极之间,C1通过VM1,Rg1和S1栅极-发射极电容Cge1放电,Cge1被充电。此时Vc1可等效为一个电压源。当脚10(HIN)为低电平时,VM2开通,VM1断开,S1栅电荷经Rg1,VM2迅速释放,S1关断。经短暂的死区时间(td)之后,脚12(LIN)为高电平,S2开通,Vcc经VD1,S2给C1充电,迅速为C1补充能量。如此循环反复。
图4
IR2110的不足是保护功能不够及其自身不具有负偏压。为此,给它外加了一个负偏压电路,具体见图6。
3应用UC3637和IR2110构成控制驱动电路
图6是IR2110构成的驱动电路。由图6可见用两片IR2110可以驱动一个逆变全桥电路,它们可以共用同一个驱动电源而不须隔离,使驱动电路极其简化。IR2110本身不能产生负偏压。由驱动电路可见本电路在每个桥臂各加了负偏压电路,以左半部为例,其工作过程如下:VDD上电后通过R1给C1充电,并在VW1的钳位下形成+5.1V电压Vc1,当IR2110的脚1(LO)输出为高电平时,下管有(VDD-5.1)V的驱动电压,同时在下管关断时下管的栅源之间形成一个-5.1V的偏压;下管开通同时脚1(LO)输出高电平通过Rg2,R2开通MOSFET让C3进行充电;当IR2110的脚7(HO)输出为高电平时,由C3放电提供上管开通电流,同时给C2充电并由VW2钳位+5.1V,下管关断时Vc2即形成负偏压。为了只用IR2110的保护功能,把脚11(SD)端接地。
图7是用UC3637产生PWM波的电路。由图7可知,这是一个开环小信号放大电路,因为,小信号的电压幅值相对三角波幅值过低,所以,小信号先经过UC3637本身的'Error运算放大器进行放大,使其幅值约等于三角波的幅值。本电路没有利用UC3637做死区,而是单独作了一个死区延时。然后把放大的信号直接和三角波进行比较,分别在UC3637的脚4及脚7输出反相的SPWM波,经过死区延时电路、滤杂波电路、隔离电路送到IR2110驱动芯片。
图6
设计电路应注意以下问题:
1)UC3637的RT和CT要适当选择,避免RT上的电流过大,损坏片子;
2)驱动电路中C2值要远远大于上管的栅源极之间的极间电容值;
图7
3)IR2110的自举元件电容的选择取决于开关频率,VDD及功率MOSFET的栅源极的充电需要,二极管的耐压值必须高于峰值电压,其功耗应尽可能小并能快速恢复;4)IR2110的驱动脉冲上升沿取决于Rg,Rg值不能过大以免使其驱动脉冲的上升沿不陡,但也不能使驱动均值电流过大以免损坏IR2110;
5)当PWM产生电路是模拟电路时可以直接把信号接到IR2110;当用采数字信号时要考虑隔离;
6)注意直流偏磁问题。
4实验结果
由一个信号发生器模拟输入,UC3637产生63kHz的三角波,直流母线电压是220V。本电路分别在假性负载和压电陶瓷负载下做实验,输出端输出很好的放大信号。
图8是在实验室做单频正弦输入信号上下功率MOSFET的驱动波形,图9是逆变桥的输出。图10也是输出波形(时间参数变化),图11是M=0.1时带假性负载的负载波形。
真正的信号是一个随机的信号,负载是一个压电换声器,本电路在M?1.0,变压器变比为1∶7时,能使小信号放大到峰值3.2kV,输出有效值能到680V,放大信号失真很小,满足技术要求。由于高压示波器没有接口,而未能把负载两端的波形拍出来。
5结语
1)UC3637采用为数不多的集成电路,就可构成一个完整的逆变控制电路,控制电路简单、实用,硬件投资不高,使用证明性能稳定,可靠;
9、10和11图
2)UC3637和IR2110具有很高的抗干扰性能,一片IR2110在较大功率下可安全驱动功率MOSFET或IGBT的半桥;
3)由于IR2110具有双通道驱动特性,且电路简单,使用方便,价格相对EXB841便宜,具有较高的性价比。
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